К международной выставке CES 2017 должен быть приурочен анонс нового процессора от компании Qualcomm — Snapdragon 835.

Чипсет использует архитектуру Kryo 280 и содержит восемь вычислительных ядер, 4 из которых отвечают за производительность и работают на тактовой частоте 2,45 ГГц, а 4 — на частоте 1,9 ГГц. Энергоэффективный блок включает 4 ядра, работающих на частоте до 1,9 ГГц. Благодаря этому у Snapdragon 835 предельно высокие показатели производительности и энергоэффективности. На текущий момент о нём понятно то, что он будет выпускаться по 10-нанометровым нормам на производственных мощностях Самсунг. Данная модель имеет 50-градусное поле обзора и разрешение монитора 1080р, в то время как ее «младший» собрат предоставляет только 40-градусный обзор и разрешение иллюстрации 720 р. В блоге Qualcomm вчера возникла информация о том, что новый чипсет заметно понижает время взаимодействия датчика движения и отображения иллюстрации, уменьшая при этом вероятность укачивания при использовании девайса. Новая функция Q-Sync синхронизирует частоту обновления монитора с частотой вывода изображения графическим процессором, что устраняет спонтанное снижение частоты. SoC может работать с камерами с разрешением до 32 мп (2 по 16 мп). Он поддерживает ряд функций, призванных улучшить качество снимков, включая оптическое увеличение, быстрый автофокус, гибридный автофокус. Эффективность SoC Snapdragon 835 на половину выше, чем у версии Snapdragon 801. Также сообщается о поддержке Bluetooth 5 и 2×2 Wi-Fi 802.11ac MU-MIMO. Благодаря переходу на 10-нанометровый техпроцесс инженерам удалось уменьшить размеры чипа на 35% в сравнении с предшествующим поколением SoC. Qualcomm Snapdragon 835 обзаведётся также поддержкой дисплеев с разрешением 4K.

В самом начале нынешнего года чипсет Snapdragon 835 появится в флагманских телефонах: LG G6, HTC 11 и Самсунг Galaxy S8 (в некоторых регионах). Оба устройства работают с дополненной и виртуальной реальностью, при всем этом R-9 является не менее дорогим и продвинутым вариантом.