SOT-MRAM на основе вольфрама обеспечивает наносекундное переключение и энергосберегающее хранение данных
Известно, что способность надёжно переключать направление магнитного поля в материалах, процесс, известный как переключение намагниченности, играет ключевую роль в работе большинства устройств памяти. Один из известных способов достижения этой цели заключается в создании вращательной силы (крутящего момента) на электронных спинах посредством электрического тока; этот физический…









