Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флэш-памяти (eUFS) 3.0 емкостью 512 гигабайт (ГБ) для мобильных устройств следующего поколения. В соответствии с новейшей спецификацией eUFS 3.0, новая память Samsung обеспечивает вдвое большую скорость по сравнению с предыдущим хранилищем eUFS (eUFS 2.1), что позволяет мобильной памяти поддерживать бесперебойную работу пользователей в будущих смартфонах со сверхвысокими экранами высокого разрешения.
«Начало массового производства нашей линейки eUFS 3.0 дает нам огромное преимущество на рынке мобильных устройств следующего поколения, которому мы обеспечиваем скорость чтения из памяти, которая раньше была доступна только на ультратонких ноутбуках», — сказал Чол Чой, исполнительный вице-президент Продажи и маркетинг памяти в Samsung Electronics. «Поскольку мы расширяем наши предложения eUFS 3.0, включая версию объемом 1 терабайт (ТБ), в конце этого года, мы ожидаем, что будем играть важную роль в ускорении темпов развития на рынке мобильных телефонов премиум-класса».
Samsung выпустил первый в отрасли интерфейс UFS с eUFS 2.0 в январе 2015 года, который в то время был в 1,4 раза быстрее, чем стандарт мобильной памяти, называемый встроенной мультимедийной картой (eMMC) 5.1. Всего за четыре года новейшая версия eUFS 3.0 компании соответствует производительности современных сверхтонких ноутбуков.
512 ГБ eUFS 3.0 от Samsung составляет восемь из 512-гигабитного (Gb) V-NAND кристалла пятого поколения компании и интегрирует высокопроизводительный контроллер. Новый eUFS со скоростью 2100 мегабайт в секунду (МБ / с) удваивает скорость последовательного чтения самой последней памяти eUFS от Samsung (eUFS 2.1), объявленной в январе. Превосходная скорость чтения нового решения в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA (SSD), и в 20 раз быстрее, чем у обычной карты microSD, что позволяет смартфонам премиум-класса передавать фильмы Full HD на ПК примерно за три секунды. Кроме того, скорость последовательной записи также была улучшена на 50 процентов до 410 МБ / с, что эквивалентно скорости SATA SSD.
Скорость случайного чтения и записи в новой памяти обеспечивает до 36-процентное увеличение по сравнению с текущей отраслевой спецификацией eUFS 2.1 и составляет 63 000 и 68 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. Благодаря значительному увеличению числа операций случайного чтения и записи, которые более чем в 630 раз быстрее, чем у обычных карт microSD (100 операций ввода-вывода в секунду), можно одновременно запускать несколько сложных приложений, обеспечивая при этом повышенную скорость отклика, особенно на мобильных устройствах нового поколения.
После 512 ГБ eUFS 3.0, а также версии на 128 ГБ, которые будут запущены в этом месяце, Samsung планирует выпустить модели объемом 1 ТБ и 256 ГБ во второй половине года, чтобы еще больше помочь мировым производителям устройств в более эффективной доставке будущих мобильных инноваций.
