Samsung приступила к массовому производству микросхем памяти HBM 2-го поколения

Прочитано: 567 раз(а)
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (1 голосов, среднее: 5,00 из 5)
Loading ... Loading ...


Южнокорейский технологический гигант компания Самсунг приступила к производству новейших модулей оперативной памяти типа «HBM2» с объемом 4Гб.

Велика вероятность, что NVIDIA и AMD пересядут на 4GB-чипы Самсунг уже к следующему поколению потребительских видеокарт.


Компания Самсунг Electronics приступила к серийному производству новых чипов оперативной памяти (DRAM), предназначенных для высокопроизводительных компьютеров. Это говорит о том, что устройство будет использовано для создания новых видеокартах от NVIDIA и AMD. Один кристалл 8 Гб HMB2 включает не менее чем 5 тыс. отверстий TSV, что не менее чем в 36 раз превосходит показатели кристалла 8 Гб TSV DDR4 — это дает возможность значительно поднять скорость передачи данных в сравнении с типичными пакетами на основе проводного монтажа, пояснили в компании. Однако спецификации обновлённой памяти HBM позволяют выпускать стеки объёмом 8 ГБ. Очевидно, речь будет идти о восьмислойных микросхемах с применением 8-Гбит слоёв.

Согласно спецификациям JEDEC, пропускная способность одного чипа HBM2 составит 256 Гбайт/с. беря во внимание наивысшую плотность чипов памяти на подложке GPU, которая составляет 4 чипа, общая пропускная способность может составить до 1024 Гбайт/с. При использовании GDDR5 этот показатель был 336,6 Гбайт/с, а с первым поколением HBM составил 512 Гбайт/с. так в новом чипе пропускная способность составит 9 Гбайт/с на контакт, что является беспрецедентным показателям для технологии DRAM.

Кроме того, компания рассчитывает выпустить пакет 8 ГБ HBM2 DRAM на протяжении данного года.

4GB-HBM2-DRAM-structure_main



Новости партнеров

Загрузка...