В США создан первый в мире транзистор на основе нитрида бора с рекордной радиационной стойкостью
Исследователи из Национальной лаборатории Сандиа 13 июня 2026 года опубликовали работу, в которой описан полевой транзистор на основе гексагонального нитрида бора, сохраняющий работоспособность после облучения дозой в 100 мегарад. Это в 100 раз выше порога, при котором выходят из строя кремниевые транзисторы, и в 10…









