«Новые чипы стандарта eUFS объемом 512 ГБ — это лучшее решение для премиальных телефонов обновленного поколения», — говорит Джису Хан. На текущий момент это первое eUFS-решение такого объема, и Самсунг планирует использовать его в следующем поколении телефонов и планшетов.

До того как приступить к производству комплектующих для телефонов обновленного поколения, Самсунг сделала практически неимоверное, уместив восемь чипов общим объемом 512 ГБ в корпусе 256-гигабайтного накопителя.

Компания отмечает, что размер чипа новейшей памяти почти не отличается от eUFS на 256 Гб. В смартфон с 64 Гб ПЗУ помещается в 10 раз меньше. Кроме того, чип контроллера 512 ГБ eUFS ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

Когда на рынке появятся первые мобильные телефоны, оснащенные 512 ГБ флэш-памяти, пока данных нет.

В модулях применяется 64-слойная технология вертикальной компоновки V-NAND. Максимальная работоспособность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения заявлена равной 42 000 IOPS, в режиме записи — 40 000 IOPS. Это в 8 раз скорее в сравнении с обыкновенной micro SD картой. Это даст возможность удовлетворить потребность в спросе на современную встроенную мобильную память, а кроме этого на твердотельные диски премиум-уровня и съемные карты памяти с высокой плотностью записи данных и производительностью.