Понятно, что в чипе применена новая технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой заряжать устройства можно будет в 2,5 раза быстрее.

Компании анонсировали флагманскую SoC Snapdragon 835 с поддержкой быстрой зарядки Quick Charge 4.0.

Самсунг Electronics сообщила о расширении сотрудничества в сфере микроэлектронного производства с Qualcomm Technologies, дочерним предприятием компании Qualcomm Incorporated.

Во что поверить можно, так это в то, что использование «параллельной зарядки», как ее называют в Qualcomm, ускоряет зарядку аккумулятора на 20%, что уже очень неплохо. В частности, батарея ёмкостью 2750 мА•ч способна набрать половину заряда за 15 мин. при температуре не выше 40 градусов Цельсия.

Презентация свежей аппаратной платформы Qualcomm Snapdragon 835 состоится уже зимой.

С применением новоиспеченной технологии чип будет продуктивнее на 27%. Применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 предоставляет возможность уменьшить размеры чипа, благодаря чему производители оборудования смогут использовать освободившееся внутри устройств пространство для установки по меньшей мере больших и емких аккамуляторных батарей. И в Qualcomm утверждают, что этот техпроцесс обеспечит на 30% большую эффективность площади платформы и обеспечит 27% прирост производительности вместе с на 40% уменьшенным энергопотреблением.

Компания Qualcomm официально анонсировала новейшую флагманскую однокристальную систему для мобильных устройств — Snapdragon 835.

Напомним, Самсунг анонсировала готовность собственных фабрик к выпуску чипов по 10-нм техпроцессу в октября данного года. Скорее всего, Snapdragon 835 придет на замену Snapdragon 820/821 для лучших мобильных устройств.