Чтобы сделать 5-нанометровые чипы, компания откажется от обычной архитектуры построения чипов FinFET, используемой cейчас, в пользу новоиспеченной структуры, которая будет строиться из {4} по 4 наносети, разрешая упаковать около 30 млрд. транзисторов на чип размером с ноготь.

Для сравнения, на 7-нанометровом пробном чипе сходственных размеров умещалось 20 млрд транзисторов. Для сравнения: самые продвинутые 7-нанометровые чипы такого размера умещают 20 млрд транзисторов. Работа над данными чипами велась вместе с такими гигантами индустрии как Самсунг и GlobalFoundries, сами же 5-нм кристаллы насчитывают около 30 млрд транзисторов при размерах, сравнимых с человеческим ногтем. Как пишет Forbes, чем плотнее транзисторы упакованы на чипе, тем скорее знак может проходить между ними. Новые электронные схемы разработаны в лабораторных условиях, другими словами положено начало, говорить о массовом производстве пока не приходится, на рынках продаж эти чипы появятся не ранее 2020 г., — говорят сотрудники компании IBM. Напомним, что нынешняя технология FinFET в настоящее время применяется в 7-нм чипах, а в первый раз объявилась в 22 и 14-нм.

FinFET применяется с 2011 года и представляет собой три токопроводящих канала, окруженные изолирующим слоем. С того времени данная тенденция сохранялась, но временные рамки удвоения числа транзисторов на чипе в последнее время несколько возросли.

При создании новых чипов профессионалы IBM использовали особые структуры транзисторов, именуемые «кремниевыми нанолистами» (silicon nanosheet).